Принцип работы МДП-структурМногие слышали о существовании полевых транзисторов, но никто не знает, что принцип нормальной работы этих основных элементов многих полупроводниковых приборов основан на МДП-структурах. Чтобы разобраться в основах функционирования этих электронных составляющих необходимо разобраться в устройстве МДП-структур. Сама структура представляет пластину из полупроводниковых материалов (монокристалла). Электрод из металла (М) носит название затвора, он находится с планарной стороны. Это означает, что между затвором и монокристаллом находится подложка из диэлектрика, и подложка расположена именно с одной стороны (планарной). С непланарной стороны располагается омический контакт. Через эту структуру может проходить только электромагнитное поле, поэтому транзисторы и называют полевыми. Напряжение подаётся на исток (электрод, на который приходят носители заряда), ток проходит через затвор (канал) и в полупроводнике на границе с диэлектриком возникает электрическое поле, концентрация зарядных частиц меняется, следовательно, меняется электропроводность полупроводника. Затем носители попадают на сток (электрод, через который уходят заряженные частицы). Полевые транзисторы в зависимости от знака и силы напряжения, поступающего на полупроводник, могут находиться в состоянии обогащения, сильной инверсии, слабой инверсии, обеднения. Прибор может работать в состоянии инверсии (сильной или слабой), когда знак носителей заряда, близко расположенных от диэлектрика, противоположен знаку основных носителей заряда полупроводника.
|
Лучшее сочетание вакуумных и полупроводниковых характеристик - однотактный гибридный усилитель звука.
Мы не создаём иллюзий,
|
